IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 518.21 грн |
| 10+ | 337.73 грн |
| 100+ | 246.31 грн |
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Технічний опис IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Інші пропозиції IPF019N12NM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPF019N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPF019N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPF019N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPF019N12NM6ATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPF019N12NM6ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPF019N12NM6ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)