IPF021N13NM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 397.82 грн |
| 50+ | 396.97 грн |
| 200+ | 279.61 грн |
| 500+ | 247.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPF021N13NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPF021N13NM6ATMA1 за ціною від 217.01 грн до 569.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF021N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPF021N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPF021N13NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPF021N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPF021N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V |
товару немає в наявності |