Продукція > INFINEON > IPF021N13NM6ATMA1
IPF021N13NM6ATMA1

IPF021N13NM6ATMA1 INFINEON

4334665.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+396.06 грн
50+395.22 грн
200+278.38 грн
500+246.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF021N13NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPF021N13NM6ATMA1 за ціною від 217.56 грн до 566.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.72 грн
10+345.97 грн
100+270.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03_12_2024_IPF021N13NM6_Rev2_0-3422186.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.59 грн
10+373.99 грн
100+254.44 грн
500+248.42 грн
1000+225.84 грн
2000+217.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4334665.pdf Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+566.64 грн
10+396.06 грн
50+395.22 грн
200+278.38 грн
500+246.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1 IPF021N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPF021N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.