Продукція > INFINEON > IPF036N15NM6ATMA1
IPF036N15NM6ATMA1

IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON


Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+257.57 грн
500+217.21 грн
1000+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPF036N15NM6ATMA1 за ціною від 149.81 грн до 387.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.48 грн
10+293.03 грн
100+257.57 грн
500+217.21 грн
1000+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPF036N15NM6_DataSheet_v01_00_EN-3569829.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.31 грн
10+279.62 грн
100+196.48 грн
500+176.15 грн
1000+149.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.