Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPF036N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Інші пропозиції IPF036N15NM6ATMA1 за ціною від 150.88 грн до 395.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPF036N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPF036N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 200.77 грн |
| 10+ | 188.63 грн |
| 25+ | 179.79 грн |
| 100+ | 172.19 грн |
| 250+ | 158.26 грн |
| 500+ | 150.88 грн |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 200.77 грн |
| 75+ | 188.63 грн |
| 79+ | 179.79 грн |
| 100+ | 172.19 грн |
| 250+ | 158.26 грн |
| 500+ | 150.88 грн |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Description: TRENCH >=100V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.58 грн |
| 10+ | 253.70 грн |
| 50+ | 199.27 грн |
| 100+ | 170.57 грн |
| 500+ | 154.13 грн |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPF036N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)