IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.98 грн |
| 10+ | 131.48 грн |
| 100+ | 90.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPF050N10NF2SATMA1 за ціною від 62.40 грн до 228.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF050N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF050N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF050N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IPF050N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IPF050N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |