IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipg16n10s4-61a-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+31.64 грн
15000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG16N10S461AATMA1 за ціною від 30.24 грн до 142.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg16n10s4-61a-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.58 грн
10+76.03 грн
50+56.99 грн
100+47.71 грн
500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61A_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+142.20 грн
10+75.19 грн
100+50.03 грн
500+39.65 грн
1000+38.97 грн
5000+30.92 грн
10000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1 infineon-ipg16n10s4-61a-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.58 грн
10+76.03 грн
50+56.99 грн
100+47.71 грн
500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1 Infineon_IPG16N10S4_61A_DataSheet_v01_10_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.20 грн
10+75.19 грн
100+50.03 грн
500+39.65 грн
1000+38.97 грн
5000+30.92 грн
10000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.