Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1

Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
Код товару: 155670
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPG16N10S461ATMA1 за ціною від 32.70 грн до 126.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 17995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.07 грн
10+55.52 грн
100+42.71 грн
500+36.93 грн
1000+33.83 грн
2500+33.34 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.08 грн
10+77.43 грн
100+52.07 грн
500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4-61.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 17995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.07 грн
10+55.52 грн
100+42.71 грн
500+36.93 грн
1000+33.83 грн
2500+33.34 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.08 грн
10+77.43 грн
100+52.07 грн
500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S4-61.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.