Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1

Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
Код товару: 155670
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPG16N10S461ATMA1 за ціною від 37.54 грн до 122.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.51 грн
151+93.56 грн
188+74.88 грн
250+65.42 грн
500+55.44 грн
1000+40.93 грн
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.79 грн
10+97.51 грн
25+93.56 грн
100+72.21 грн
250+60.57 грн
500+53.22 грн
1000+40.93 грн
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.39 грн
10+75.16 грн
100+50.54 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 17995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 INFINEON 2354668.pdf Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 INFINEON Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4-61.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+97.51 грн
151+93.56 грн
188+74.88 грн
250+65.42 грн
500+55.44 грн
1000+40.93 грн
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.79 грн
10+97.51 грн
25+93.56 грн
100+72.21 грн
250+60.57 грн
500+53.22 грн
1000+40.93 грн
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.39 грн
10+75.16 грн
100+50.54 грн
500+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 17995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 2354668.pdf
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604
IPG16N10S461ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S4-61.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 7, Rds = 61 @ 16 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 В, Р, Вт = 29, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Очікується: 32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.