Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG16N10S4L61AATMA1
IPG16N10S4L61AATMA1

IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies

IPG16N10S4L-61A_Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c1313ea0aaa Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.24 грн
10+80.81 грн
100+53.01 грн
500+38.24 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG16N10S4L61AATMA1 за ціною від 33.13 грн до 133.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG16N10S4L_61A_Data_Sheet_10_Infineon-1507397.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.82 грн
10+85.13 грн
100+48.22 грн
500+37.81 грн
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 395ipg16n10s4l-61a_data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a30431f84840.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG16N10S4L-61A_Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c1313ea0aaa Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.