Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N04S4-09
IPG20N04S4-09

IPG20N04S4-09 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N04S4_09-DS-v01_00-en-1226268.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S4-09 Infineon Technologies

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 20A, Power dissipation: 54W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21.7nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T2.

Інші пропозиції IPG20N04S4-09

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S409.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409.pdf
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.