IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.84 грн |
| 5000+ | 63.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPG20N04S409ATMA1 за ціною від 113.04 грн до 148.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
товару немає в наявності |