Продукція > INFINEON > IPG20N04S409ATMA1
IPG20N04S409ATMA1

IPG20N04S409ATMA1 INFINEON

INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.81 грн
500+48.69 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S409ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPG20N04S409ATMA1 за ціною від 39.90 грн до 133.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.01 грн
10+89.52 грн
100+68.81 грн
500+48.69 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_09-DS-v01_00-en-1731800.pdf MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
5000+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipg20n04s4-09_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.