![IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 38.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21.7nC, Technology: OptiMOS™ T2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 20A, On-state resistance: 8.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 54W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPG20N04S409ATMA1 за ціною від 59.28 грн до 120.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W |
товар відсутній |