Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N04S408ATMA1
IPG20N04S408ATMA1

IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPG20N04S408ATMA1 за ціною від 42.93 грн до 169.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 13103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+97.89 грн
100+66.32 грн
500+49.56 грн
1000+45.49 грн
2000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.39 грн
10+108.54 грн
100+74.25 грн
500+54.67 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t
IPG20N04S408ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 13103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+158.59 грн
10+97.89 грн
100+66.32 грн
500+49.56 грн
1000+45.49 грн
2000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf5de5da6bfb&ack=t
IPG20N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+169.39 грн
10+108.54 грн
100+74.25 грн
500+54.67 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.