Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N04S408BATMA1
IPG20N04S408BATMA1

IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.10 грн
10+96.03 грн
100+65.03 грн
500+48.58 грн
1000+44.57 грн
2000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 65W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPG20N04S408BATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N04S408BATMA1 IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG20N04S4_08B_DataSheet_v01_00_EN-3107538.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 Infineon-IPG20N04S4-08B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018480b443e52bfe
IPG20N04S408BATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1 Infineon_IPG20N04S4_08B_DataSheet_v01_00_EN-3107538.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.