на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.75 грн |
| 10+ | 58.21 грн |
| 100+ | 39.43 грн |
| 500+ | 33.40 грн |
| 1000+ | 27.22 грн |
| 2500+ | 25.60 грн |
| 5000+ | 24.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N04S418AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG20N04S418AATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPG20N04S418AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SP003127446 |
товару немає в наявності |
||
 |
IPG20N04S418AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |