Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N04S4L08ATMA1
IPG20N04S4L08ATMA1

IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 54W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 54W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPG20N04S4L08ATMA1 за ціною від 30.87 грн до 162.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.43 грн
250+70.22 грн
1000+44.13 грн
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG20N04S4L_08_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.17 грн
10+73.92 грн
100+46.87 грн
500+39.19 грн
1000+36.37 грн
2500+35.31 грн
5000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.93 грн
10+87.12 грн
100+58.73 грн
500+43.67 грн
1000+39.99 грн
2000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.81 грн
50+104.43 грн
250+70.22 грн
1000+44.13 грн
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+104.43 грн
250+70.22 грн
1000+44.13 грн
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon_IPG20N04S4L_08_DS_v01_00_en.pdf
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.17 грн
10+73.92 грн
100+46.87 грн
500+39.19 грн
1000+36.37 грн
2500+35.31 грн
5000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.93 грн
10+87.12 грн
100+58.73 грн
500+43.67 грн
1000+39.99 грн
2000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+162.81 грн
50+104.43 грн
250+70.22 грн
1000+44.13 грн
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.