IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.17 грн |
| 500+ | 34.88 грн |
| 1000+ | 29.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 41W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 41W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPG20N04S4L11AATMA1 за ціною від 29.55 грн до 88.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 3918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistors - Unclassified Description: IPG20N04S4L11AATMA1 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IPG20N04S4L11AATMA1 Код товару: 158575
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPG20N04S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 41W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |