IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPG20N04S4L_11A_DataSheet_v01_00_EN-3362431.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.04 грн
10+ 64.02 грн
100+ 47.03 грн
500+ 41.69 грн
1000+ 32.52 грн
2500+ 31.99 грн
5000+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 41W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG20N04S4L11AATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S4L11AATMA1
Код товару: 158575
IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 394ipg20n04s4l-11a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній