Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N06S2L50AATMA1
IPG20N06S2L50AATMA1

IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N06S2L_50A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4552ed7b51ae
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.14 грн
10+78.45 грн
100+52.63 грн
500+39.00 грн
1000+35.65 грн
2000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 51W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG20N06S2L50AATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N06S2L50AATMA1 IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_50A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4552ed7b51ae Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1 IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L-50A-DataSheet-v01_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_50A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4552ed7b51ae
IPG20N06S2L50AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon-IPG20N06S2L-50A-DataSheet-v01_02-EN.pdf
IPG20N06S2L50AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.