IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.83 грн |
| 10+ | 76.57 грн |
| 100+ | 43.02 грн |
| 500+ | 34.09 грн |
| 1000+ | 32.14 грн |
| 2500+ | 30.47 грн |
| 5000+ | 27.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 51W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG20N06S2L50AATMA1 за ціною від 33.17 грн до 129.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N06S2L50AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPG20N06S2L50AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 51W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |