IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.66 грн |
| 10+ | 78.11 грн |
| 100+ | 52.33 грн |
| 500+ | 38.73 грн |
| 1000+ | 35.39 грн |
| 2000+ | 32.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 51W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4, Part Status: Active.
Інші пропозиції IPG20N06S2L50ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPG20N06S2L50ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)