IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.93 грн |
| 10+ | 75.83 грн |
| 100+ | 50.80 грн |
| 500+ | 37.60 грн |
| 1000+ | 34.36 грн |
| 2000+ | 31.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 51W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 51W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPG20N06S2L50ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPG20N06S2L50ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 51W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IPG20N06S2L50ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 51W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPG20N06S2L50ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPG20N06S2L50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPG20N06S2L50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPG20N06S2L50ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



