Продукція > INFINEON > IPG20N06S415ATMA2
IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2 INFINEON

Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.64 грн
500+61.46 грн
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S415ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS -T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPG20N06S415ATMA2 за ціною від 37.21 грн до 147.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
10+84.32 грн
100+56.87 грн
500+42.35 грн
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.31 грн
10+104.56 грн
100+77.64 грн
500+61.46 грн
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N06S4_15_DataSheet_v01_01_EN-1731826.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.27 грн
10+97.06 грн
100+57.02 грн
500+45.58 грн
1000+38.75 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipg20n06s4-15_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.