IPG20N06S4L11AATMA1

IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPG20N06S4L_11A_DataSheet_v01_01_EN-1274682.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL_55/60V
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.49 грн
10+113.37 грн
100+68.49 грн
250+68.42 грн
500+55.47 грн
1000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 65W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPG20N06S4L11AATMA1 за ціною від 47.85 грн до 175.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N06S4L11AATMA1 IPG20N06S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L-11A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508030120e6574 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+107.90 грн
100+73.54 грн
500+55.23 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1 IPG20N06S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5291infineon-ipg20n06s4l-11a-ds-v01_00-en.pdffileid5546d462503812bb01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1 IPG20N06S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L-11A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508030120e6574 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.