Продукція > INFINEON > IPG20N06S4L11ATMA2
IPG20N06S4L11ATMA2

IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON

Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.04 грн
500+54.24 грн
1000+46.38 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPG20N06S4L11ATMA2 за ціною від 39.85 грн до 176.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.48 грн
10+105.71 грн
100+77.04 грн
500+54.24 грн
1000+46.38 грн
5000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipg20n06s4l-11_ds_1_0.pdf SP001404020
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N06S4L_11_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.