Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N06S4L14AATMA1
IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+45.07 грн
15000+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IPG20N06S4L14AATMA1 за ціною від 44.37 грн до 182.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.86 грн
10+103.85 грн
50+78.53 грн
100+66.05 грн
500+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+182.18 грн
10+89.79 грн
100+71.02 грн
500+55.78 грн
2500+53.08 грн
5000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.77 грн
10+110.93 грн
25+109.86 грн
50+104.92 грн
100+75.10 грн
250+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.86 грн
10+103.85 грн
50+78.53 грн
100+66.05 грн
500+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.18 грн
10+89.79 грн
100+71.02 грн
500+55.78 грн
2500+53.08 грн
5000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 infineon-ipg20n06s4l-14a-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+133.77 грн
10+110.93 грн
25+109.86 грн
50+104.92 грн
100+75.10 грн
250+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.