Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N06S4L14AATMA1
IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPG20N06S4L14AATMA1 за ціною від 32.81 грн до 124.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Виробник : INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.40 грн
500+39.75 грн
1000+34.30 грн
5000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Виробник : INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.94 грн
15+56.15 грн
100+49.40 грн
500+39.75 грн
1000+34.30 грн
5000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N06S4L_14A_DataSheet_v01_01_EN-1568550.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.05 грн
10+57.14 грн
100+43.59 грн
500+41.61 грн
1000+40.36 грн
2500+39.78 грн
5000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.64 грн
10+56.95 грн
100+45.09 грн
500+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 393ipg20n06s4l-14a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.