IPG20N06S4L14ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 36.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S4L14ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG20N06S4L14ATMA2 за ціною від 39.90 грн до 138.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPG20N06S4L14ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPG20N06S4L14ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPG20N06S4L14ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET |
товару немає в наявності |