IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 33W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4, Part Status: Active.
Інші пропозиції IPG20N06S4L26ATMA1 за ціною від 27.63 грн до 122.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 |
на замовлення 5526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 9501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPG20N06S4L26ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.94 грн |
| 10+ | 70.44 грн |
| 100+ | 42.15 грн |
| 500+ | 33.13 грн |
| 1000+ | 29.67 грн |
| 5000+ | 27.63 грн |
| IPG20N06S4L26ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.11 грн |
| 10+ | 74.75 грн |
| 100+ | 49.94 грн |
| 500+ | 36.89 грн |
| 1000+ | 33.68 грн |
| 2000+ | 30.98 грн |
| IPG20N06S4L26ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)