Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1

IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies

IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 60W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 60W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IPG20N10S4L22AATMA1 за ціною від 57.88 грн до 186.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies ipg20n10s4l22ads10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.80 грн
25+70.14 грн
100+67.01 грн
250+61.45 грн
500+58.44 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies ipg20n10s4l22ads10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.80 грн
202+70.14 грн
204+69.49 грн
250+66.37 грн
500+60.87 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies ipg20n10s4l22ads10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies ipg20n10s4l22ads10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
10000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies ipg20n10s4l22ads10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
10000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.51 грн
10+115.62 грн
50+87.78 грн
100+73.95 грн
500+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 ipg20n10s4l22ads10.pdf
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+70.80 грн
25+70.14 грн
100+67.01 грн
250+61.45 грн
500+58.44 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 ipg20n10s4l22ads10.pdf
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+70.80 грн
202+70.14 грн
204+69.49 грн
250+66.37 грн
500+60.87 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 ipg20n10s4l22ads10.pdf
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 ipg20n10s4l22ads10.pdf
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
10000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 ipg20n10s4l22ads10.pdf
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+105.04 грн
500+94.54 грн
1000+87.19 грн
10000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.51 грн
10+115.62 грн
50+87.78 грн
100+73.95 грн
500+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
IPG20N10S4L22AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.