Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+91.36 грн
162+87.17 грн
181+77.74 грн
200+72.09 грн
1000+62.05 грн
2000+57.01 грн
5000+56.09 грн
10000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 60W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 60W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPG20N10S4L22ATMA1 за ціною від 50.26 грн до 172.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.07 грн
142+99.23 грн
182+77.62 грн
200+71.97 грн
1000+61.84 грн
2000+56.91 грн
5000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.87 грн
10+120.84 грн
25+119.57 грн
100+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.87 грн
117+120.84 грн
118+119.57 грн
150+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.42 грн
10+106.59 грн
100+72.73 грн
500+54.64 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_22_DS_v01_01_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+100.07 грн
142+99.23 грн
182+77.62 грн
200+71.97 грн
1000+61.84 грн
2000+56.91 грн
5000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.87 грн
10+120.84 грн
25+119.57 грн
100+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+139.87 грн
117+120.84 грн
118+119.57 грн
150+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.42 грн
10+106.59 грн
100+72.73 грн
500+54.64 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon_IPG20N10S4L_22_DS_v01_01_en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.