Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 60W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 60W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPG20N10S4L22ATMA1 за ціною від 45.83 грн до 173.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+79.53 грн
162+75.89 грн
181+67.67 грн
200+62.76 грн
1000+54.02 грн
2000+49.63 грн
5000+48.83 грн
10000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+87.11 грн
142+86.39 грн
182+67.57 грн
200+62.66 грн
1000+53.84 грн
2000+49.54 грн
5000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.92 грн
250+75.81 грн
1000+50.66 грн
3000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+113.07 грн
10+97.68 грн
25+96.65 грн
100+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.77 грн
117+105.20 грн
118+104.09 грн
150+78.67 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.84 грн
50+102.92 грн
250+75.81 грн
1000+50.66 грн
3000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.22 грн
10+102.72 грн
100+70.02 грн
500+52.56 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_22_DataSheet_v01_10_EN-1227055.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.18 грн
10+114.95 грн
25+93.99 грн
100+72.28 грн
250+70.19 грн
500+57.51 грн
1000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 29ipg20n10s4l-22_ds_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.