Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S4L22ATMA1
IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.09 грн
144+98.11 грн
172+82.42 грн
250+77.93 грн
500+64.37 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 60W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 60W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IPG20N10S4L22ATMA1 за ціною від 56.68 грн до 198.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.49 грн
10+99.09 грн
25+98.11 грн
100+79.48 грн
250+72.16 грн
500+61.79 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.50 грн
10+110.61 грн
50+84.04 грн
100+70.81 грн
500+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.32 грн
10+132.74 грн
100+97.92 грн
500+78.36 грн
1000+66.20 грн
2500+62.50 грн
5000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.52 грн
106+133.54 грн
144+98.51 грн
500+78.84 грн
1000+66.60 грн
2500+62.88 грн
5000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_22_DS_v01_01_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
10000+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.02 грн
500+96.32 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.49 грн
10+99.09 грн
25+98.11 грн
100+79.48 грн
250+72.16 грн
500+61.79 грн
1000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.50 грн
10+110.61 грн
50+84.04 грн
100+70.81 грн
500+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+197.32 грн
10+132.74 грн
100+97.92 грн
500+78.36 грн
1000+66.20 грн
2500+62.50 грн
5000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 infineon-ipg20n10s4l-22-datasheet-v01_10-en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+198.52 грн
106+133.54 грн
144+98.51 грн
500+78.84 грн
1000+66.60 грн
2500+62.88 грн
5000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon_IPG20N10S4L_22_DS_v01_01_en.pdf
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 INFNS28029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.