Продукція > INFINEON > IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.84 грн
500+31.57 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPG20N10S4L35AATMA1 за ціною від 27.02 грн до 138.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.68 грн
14+59.50 грн
100+41.84 грн
500+31.57 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.45 грн
139+87.84 грн
171+71.46 грн
200+64.50 грн
1000+52.87 грн
2000+47.38 грн
5000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_35A_DataSheet_v01_10_EN-3362791.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.58 грн
10+87.14 грн
100+52.97 грн
500+43.04 грн
1000+39.95 грн
2500+39.87 грн
5000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.47 грн
10+84.14 грн
100+55.33 грн
500+41.34 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.