Продукція > INFINEON > IPG20N10S4L35ATMA1
IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON

Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.99 грн
250+60.36 грн
1000+40.39 грн
3000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPG20N10S4L35ATMA1 за ціною від 36.02 грн до 168.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.10 грн
50+87.99 грн
250+60.36 грн
1000+40.39 грн
3000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 20187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.84 грн
10+88.35 грн
100+53.43 грн
500+43.98 грн
1000+38.55 грн
2500+37.92 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+103.46 грн
100+69.86 грн
500+52.04 грн
1000+47.70 грн
2000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
IPG20N10S4L35ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+129.10 грн
50+87.99 грн
250+60.36 грн
1000+40.39 грн
3000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf
IPG20N10S4L35ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 20187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.84 грн
10+88.35 грн
100+53.43 грн
500+43.98 грн
1000+38.55 грн
2500+37.92 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
IPG20N10S4L35ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+103.46 грн
100+69.86 грн
500+52.04 грн
1000+47.70 грн
2000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.