Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI024N06N3GXKSA1
IPI024N06N3GXKSA1

IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp024n06n3_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+128.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPI024N06N3GXKSA1 за ціною від 104.47 грн до 249.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP024N06N3_DS_v02_02_en-3164931.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A I2PAK-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.76 грн
10+207.28 грн
25+150.08 грн
100+133.16 грн
250+128.01 грн
500+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp024n06n3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp024n06n3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP024N06N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f1f52a67151 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.