Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

ipi029n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.

Інші пропозиції IPI029N06NAKSA1 за ціною від 61.82 грн до 176 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+78.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+125.59 грн
107+ 109.52 грн
127+ 92.43 грн
250+ 86.73 грн
Мінімальне замовлення: 94
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.74 грн
10+ 111.41 грн
100+ 94.02 грн
250+ 88.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPI029N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bab38f54926 Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.05 грн
10+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPI029N06N_DS_v02_05_EN-3362337.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.01 грн
10+ 132.82 грн
100+ 102.14 грн
250+ 92.13 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 62.09 грн
2500+ 61.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+171.07 грн
85+ 138.25 грн
100+ 129.3 грн
200+ 123.72 грн
500+ 102.13 грн
Мінімальне замовлення: 69
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : INFINEON 2354552.pdf Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+176 грн
10+ 129.56 грн
100+ 98.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній