Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

ipi029n06n_rev2.2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IPI029N06NAKSA1 за ціною від 82.21 грн до 195.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.87 грн
108+132.01 грн
116+122.58 грн
500+104.56 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies IPI029N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bab38f54926 Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.28 грн
50+93.57 грн
100+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPI029N06N-DS-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON 2354552.pdf Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 ipi029n06n_rev2.2.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 ipi029n06n_rev2.2.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 ipi029n06n_rev2.2.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 ipi029n06n_rev2.2.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.87 грн
108+132.01 грн
116+122.58 грн
500+104.56 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bab38f54926
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.28 грн
50+93.57 грн
100+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 Infineon-IPI029N06N-DS-v02_05-EN.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 2354552.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.