
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 636.86 грн |
10+ | 565.15 грн |
100+ | 401.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPI030N10N3GXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPI030N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IPI030N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
IPI030N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |