IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G Infineon Technologies


Infineon_IPP032N06N3_DS_v02_02_en-3164921.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.85 грн
10+ 194.56 грн
100+ 138.92 грн
500+ 117.6 грн
1000+ 99.03 грн
2500+ 94.22 грн
5000+ 90.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI032N06N3 G Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPI032N06N3 G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI032N06N3 G IPI032N06N3 G
Код товару: 110398
IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPI032N06N3 G IPI032N06N3 G Виробник : Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a84ff084cc8 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній