IPI034NE7N3G Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 5434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 262+ | 91.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI034NE7N3G Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції IPI034NE7N3G за ціною від 103.74 грн до 103.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI034NE7N3 G | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| IPI034NE7N3G | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI034NE7N3G - IPI034NE7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IPI034NE7N3 G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V |
товару немає в наявності |