IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.80 грн |
| 10+ | 62.32 грн |
| 50+ | 56.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPI040N06N3GXKSA1 за ціною від 65.58 грн до 215.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPI040N06N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3
MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.85 грн |
| 10+ | 139.72 грн |
| 100+ | 84.91 грн |
| 500+ | 67.58 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
| 2500+ | 65.58 грн |