IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 70.00 грн |
| 10+ | 62.50 грн |
| 50+ | 56.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPI040N06N3GXKSA1 за ціною від 65.77 грн до 216.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPI040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPI040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |