Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI040N06N3GXKSA1
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPI040N06N3GXKSA1 за ціною від 50.33 грн до 228.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.59 грн
6+69.40 грн
10+61.77 грн
17+53.38 грн
46+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.51 грн
4+86.48 грн
10+74.13 грн
17+64.06 грн
46+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPI040N06N3_G_DS_v02_01_EN-3362814.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
10+148.18 грн
100+90.05 грн
500+71.68 грн
1000+70.29 грн
2500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.