Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI040N06N3GXKSA1
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPI040N06N3GXKSA1 за ціною від 47.86 грн до 156.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.95 грн
6+ 63.13 грн
10+ 56.19 грн
16+ 52.72 грн
43+ 49.25 грн
250+ 47.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.33 грн
4+ 78.66 грн
10+ 67.43 грн
16+ 63.26 грн
43+ 59.1 грн
250+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.07 грн
10+ 115.5 грн
100+ 91.92 грн
500+ 72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPI040N06N3_G_DS_v02_01_EN-3362814.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.94 грн
10+ 127.89 грн
100+ 89.24 грн
250+ 85.24 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 60.6 грн
5000+ 58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній