IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies


6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 28500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V.

Інші пропозиції IPI041N12N3GAKSA1 за ціною від 220.3 грн до 466.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+403.7 грн
10+ 326.43 грн
100+ 264.09 грн
500+ 220.3 грн
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+433.24 грн
10+ 362.11 грн
100+ 291.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : Infineon Technologies 6126ipp_i_b041n12n3_rev23.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+466.57 грн
31+ 389.96 грн
100+ 313.9 грн
Мінімальне замовлення: 26
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_B041N12N3_DS_v02_03_en-1227153.pdf MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
товар відсутній
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній