IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 249.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V.
Інші пропозиції IPI041N12N3GAKSA1 за ціною від 249.01 грн до 487.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPI041N12N3GAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |