Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI045N10N3GXKSA1
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipi045n10n3g-ds-v02_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 149500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+158.59 грн
75000+144.91 грн
112500+134.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm.

Інші пропозиції IPI045N10N3GXKSA1 за ціною від 101.55 грн до 298.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipi045n10n3g-ds-v02_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.31 грн
10+148.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPI045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9897792104f5 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
10+188.62 грн
50+146.01 грн
100+124.14 грн
500+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipi045n10n3g-ds-v02_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3g-ds-v02_10-en.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.31 грн
10+148.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon-IPI045N10N3%20G-DS-v02_09-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d9897792104f5
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.63 грн
10+188.62 грн
50+146.01 грн
100+124.14 грн
500+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3g-ds-v02_10-en.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.