| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 606.53 грн |
| 10+ | 400.59 грн |
| 100+ | 279.88 грн |
| 500+ | 236.99 грн |
| 1000+ | 222.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPI051N15N5AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI051N15N5AKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MV POWER MOSPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IPI051N15N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPI051N15N5AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPI051N15N5AKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.