IPI076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 277.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPI076N15N5AKSA1 за ціною від 139.41 грн до 407.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MV POWER MOSPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI076N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPI076N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |