IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.13 грн |
| 50+ | 182.33 грн |
| 100+ | 166.31 грн |
| 500+ | 129.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IPI111N15N3GAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI111N15N3GAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPI111N15N3GAKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3
MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)