Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI120N04S4-02
IPI120N04S4-02

IPI120N04S4-02 Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI120N04S4-02 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 120A, Power dissipation: 158W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 103nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T2.

Інші пропозиції IPI120N04S4-02

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPI120N04S402AKSA1 IPI120N04S402AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI120N04S402.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N04S402AKSA1 IPI120N04S402.pdf
IPI120N04S402AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.