Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI147N12N3GAKSA1

IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies

Name: IPI147N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13133567-3
Price: 23414.89 UAH
Availability: InStock

IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
307+	76.27 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V.

Інші пропозиції IPI147N12N3GAKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPI147N12N3GAKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPI147N12N3GAKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPI147N12N3GAKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.