Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI180N10N3GXKSA1
IPI180N10N3GXKSA1

IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.81 грн
6+76.25 грн
18+53.45 грн
48+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPI180N10N3GXKSA1 за ціною від 59.43 грн до 113.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF649593FC11C&compId=IPI180N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=bdd5ad7ac5aa3556edd4940f3d6af7743d74344f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.77 грн
5+95.01 грн
18+64.14 грн
48+60.37 грн
1000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.