IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.73 грн |
| 18+ | 64.60 грн |
| 48+ | 61.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPI180N10N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPI180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |