IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.39 грн |
| 10+ | 164.98 грн |
| 100+ | 114.77 грн |
| 500+ | 94.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 21A, Power dissipation: 68W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 53mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI530N15N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 68W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 68W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |