Технічний опис IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IPI60R099CPXKSA1 за ціною від 332.66 грн до 760.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPI60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 583.51 грн |
| 10+ | 482.05 грн |
| 100+ | 401.73 грн |
| 500+ | 332.66 грн |
| IPI60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 760.64 грн |
| 10+ | 647.68 грн |
| 100+ | 536.04 грн |
| 500+ | 452.25 грн |
| 1000+ | 376.32 грн |
| IPI60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 760.64 грн |
| 22+ | 647.68 грн |
| 100+ | 536.04 грн |
| 500+ | 452.25 грн |
| 1000+ | 376.32 грн |
| IPI60R099CPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)