IPI60R165CPXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.43 грн |
| 10+ | 252.17 грн |
| 100+ | 179.96 грн |
| 500+ | 140.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R165CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPI60R165CPXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPI60R165CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolMOS Power Transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IPI60R165CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3 |
товару немає в наявності |