IPI60R190C6 Infineon Technologies
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.88 грн |
| 10+ | 164.58 грн |
| 25+ | 106.42 грн |
| 100+ | 96.14 грн |
| 500+ | 90.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R190C6 Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPI60R190C6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R190C6 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |