Технічний опис IPI60R250CPAKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3, Technology: CoolMOS™ CP, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.25Ω, Drain current: 12A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 104W, Drain-source voltage: 600V.
Інші пропозиції IPI60R250CPAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |