
IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3, Technology: CoolMOS™ CP, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.25Ω, Drain current: 12A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 104W, Drain-source voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI60R250CPAKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |