
IPI60R385CP Infineon Technologies
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.27 грн |
10+ | 175.98 грн |
100+ | 122.86 грн |
500+ | 100.05 грн |
1000+ | 83.13 грн |
2500+ | 77.25 грн |
5000+ | 75.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R385CP Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPI60R385CP за ціною від 81.97 грн до 81.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPI60R385CP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V |
на замовлення 78346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IPI60R385CP (6R385P) Транзистор Код товару: 192857
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|