Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI65R150CFDXKSA1
IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 17598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 167 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPI65R150CFDXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en-773971.pdf MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
IPI65R150CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en-773971.pdf
IPI65R150CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.