Інші пропозиції IPI65R190CFDXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPI65R190CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
IPI65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPI65R190CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
товар відсутній |