IPI80N04S4-03

IPI80N04S4-03 Infineon Technologies


INFNS15045-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
350+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 350
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI80N04S4-03 Infineon Technologies

Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPI80N04S4-03

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI80N04S4-03 IPI80N04S4-03 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N04S4_03_DS_v01_00_en-1518483.pdf MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
товар відсутній