Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI80N06S405AKSA2
IPI80N06S405AKSA2

IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies

IPx80N06S4-05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPI80N06S405AKSA2 за ціною від 68.25 грн до 177.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPI80N06S405AKSA2 IPI80N06S405AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I80N06S4_05_DS_v01_00_en-1226657.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.24 грн
10+145.17 грн
100+100.55 грн
250+92.47 грн
500+83.67 грн
1000+72.36 грн
2500+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2 IPI80N06S405AKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4-05_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2 IPI80N06S405AKSA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80N06S4-05.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.